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Si基3C—SiC薄膜的LPCVD反向外延研究
采用低压化学气相淀积(LPCVD)技术,以CH4和H2的混合气体作为反应源气体,在n型Si(111)衬底上反向外延生长出高迁移率的自掺杂的n型3C-SiC......
期刊
立方碳化硅
反向外延
表面碳化
霍尔迁移率
cubic silicon carbide
reverse-epitaxy
surface carbonizat
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